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SK海力士HBM4封裝出現英特爾EMIB　AI記憶體競賽延伸至先進封裝技術

(圖/ 中華超傳媒 AI圖片)

SK海力士在2026 Hot Chips公開下一世代HBM先進封裝方向，英特爾EMIB與台積電CoWoS系列同時出現在2.5D封裝技術版圖中，讓英特爾在AI記憶體與先進封裝市場的存在感進一步升高。

SK海力士HBM技術藍圖曝光　英特爾EMIB成為2.5D封裝選項

SK海力士HBM4先進封裝技術正成為AI晶片產業觀察焦點。SK海力士在2026 Hot Chips會議公開「Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory」相關技術內容，從HBM堆疊、TSV、混合鍵合到2.5D與3D整合，完整呈現下一階段HBM封裝的技術演進方向。

其中最受市場關注的變化，是英特爾EMIB出現在SK海力士的2.5D先進封裝方案中，並與台積電CoWoS-S、CoWoS-R及CoWoS-L並列。這代表未來HBM與AI加速器的整合，不再只是單純比拚記憶體本身的速度與容量，封裝架構也逐漸成為決定AI系統效能的重要環節。

不過，目前公開資料顯示的是SK海力士將EMIB納入技術路線與方案比較，尚不足以直接證明已形成特定HBM產品的大規模商業訂單。因此，這項訊號更適合視為英特爾先進封裝取得產業關注的重要進展，而非已完成全面性的供應鏈轉換。

HBM4頻寬持續拉高　封裝成為AI記憶體下一個瓶頸

AI模型規模不斷增加，使GPU、ASIC等AI加速器對記憶體頻寬的需求快速攀升，HBM因此成為AI伺服器的重要零組件。SK海力士在Hot Chips 2026展示的技術路線指出，HBM4的I/O數量將從前一代的1,024組提高至2,048組，單一HBM4堆疊的頻寬則可達約2TB/s。隨著I/O數量增加，封裝內部需要處理的訊號、供電、熱管理與機械應力也同步提高。

這使HBM的競爭逐漸從「記憶體堆疊多少層」轉向更複雜的系統工程。除了增加I/O之外，SK海力士也將更多TSV、Hybrid Bonding以及3D整合列入後續發展方向。換言之，未來HBM技術不只是增加DRAM容量，而是必須同時解決更高頻寬、更高功耗密度、更密集互連與散熱等問題。

為什麼EMIB受到關注？核心在「矽橋」而非大型中介層

英特爾EMIB的技術特色，在於將小型矽橋嵌入封裝基板，讓不同晶粒可以透過高密度互連進行連接，而不是使用覆蓋整個封裝的大型矽中介層。

英特爾官方資料指出，EMIB是將小型矽橋放進基板內，僅在需要高密度連接的位置建立細密互連，因此能夠支援多晶粒異質整合，並應用於AI、高效能運算及其他高頻寬需求場景。

而在EMIB-T架構中，英特爾進一步加入TSV，強化垂直供電能力。英特爾也將EMIB-T定位為可整合運算晶粒、HBM與I/O元件的大型封裝方案，並持續朝更大尺寸的多晶粒系統發展。

這項技術方向與HBM世代升級存在一定的技術交集：當HBM的I/O、堆疊與供電需求持續增加，封裝就必須提供更高密度的連接能力，同時降低大型封裝在製造、散熱及機械可靠度上的壓力。

台積電CoWoS仍是主流　但封裝競爭已經開始多元化

對台積電而言，這並不代表CoWoS的地位立即被取代。目前AI晶片產業仍大量採用台積電CoWoS系列先進封裝，而SK海力士在此次技術展示中，同時列出CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L與Intel EMIB，也反映出不同封裝架構各自存在工程取捨。

另一方面，英特爾近年積極將EMIB、EMIB-T與其他先進封裝技術推向AI與高效能運算市場。英特爾2026年公開資料指出，EMIB-T除了高頻寬die-to-die連接，也加入TSV供電設計，並規劃與Foveros等3D封裝技術整合。

這代表AI晶片產業的競爭正在從單純的「誰能做出更先進製程」，擴大到「誰能把運算晶粒、HBM與I/O更有效率地組合在一起」。

聯發科也採用雙軌策略　先進封裝供應鏈競爭升溫

英特爾EMIB受到市場關注，也與AI ASIC快速成長有關。2026年5月，聯發科公開表示，同時支援台積電CoWoS與英特爾EMIB兩種先進封裝技術，讓客戶可以依照產品需求選擇不同方案。路透社報導指出，聯發科正積極拓展客製化AI晶片業務，並將先進封裝視為重要能力之一。

因此，SK海力士此次在HBM技術路線中展示EMIB，其產業意義並不只是增加一家合作對象，而是顯示AI晶片供應鏈正在逐步形成「多種封裝平台並存」的局面。

對AI晶片設計業者而言，多元封裝選擇有助於降低對單一技術平台的依賴；對封裝供應商而言，則代表未來爭取AI晶片與HBM相關訂單時，技術彈性與整合能力的重要性將進一步提高。

HBM從2.5D走向3D　下一場競賽可能不只比頻寬

SK海力士目前提出的更長期方向，是從2.5D逐步往3D整合發展。HBM本身已經是3D堆疊架構，但下一階段的變化，是讓記憶體與運算邏輯之間的距離進一步縮短，並透過Hybrid Bonding等技術提高互連密度。這將牽動晶粒設計、封裝材料、散熱、供電以及製造良率等多個環節。

問題也因此變得更加複雜。HBM堆疊越高、I/O越密集，熱量與機械應力越難控制；而當記憶體與運算晶粒進一步靠近，封裝結構對材料與製程的要求也會同步提高。SK海力士此次釋出的技術方向，實際上反映的是整個AI半導體產業正在面對的共同問題。

台積電與英特爾的競爭　戰場正從晶圓代工延伸到先進封裝

從產業競爭角度觀察，SK海力士將EMIB列入HBM 2.5D封裝技術版圖，讓台積電與英特爾在先進封裝領域的競爭更加受到市場關注。英特爾目前在晶圓代工業務仍需要持續建立外部客戶基礎，但先進封裝提供了另一條切入AI供應鏈的路徑。尤其EMIB-T可以整合HBM與運算晶粒，若未來有更多AI晶片業者採用，英特爾有機會透過封裝服務與客戶建立更深的合作關係。

台積電方面，則擁有完整的先進製程與CoWoS、SoIC等技術體系。未來市場真正的競爭點，可能不會是單一封裝技術誰勝誰負，而是誰能夠提供從晶圓製造、HBM整合到2.5D與3D封裝的完整解決方案。